氢气氛围下退火对氧化镓薄膜性质的影响,牛成军,夏晓川,采用MOCVD制备了ε-Ga2O3薄膜样品,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计和半导体特性分析仪等表征手段�