Ni50Mn35.4In14.6合金磁结构耦合的第一性原理计算研究

不同终端的渗碳体(001)表面稳定性,结构和电子特性的第一性原理研究,高扬,吕知清,从利用密度泛函理论优化后的渗碳体体单胞的四个不同位置切取了八种终端的(001)表面,并对它们进行了计算,结果表明,若

铁磁形状记忆合金Mn50Ni36Sn9Co5中的动力学阻止和去阻止，马丽，赵德伟，用甩带快淬的方法制备了Mn50Ni36Sn9Co5合金．X射线衍射实验结果表明，Mn50Ni36Sn9Co5甩带合金在

Sin(n=4,5)Mn团簇的结构和磁性的第一原理研究,杨保华, 李英兰,本文采用基于第一原理的赝势平面波的方法计算了Sin(n=4,5)Mn团簇的结构和自旋极化特性。结果表明:在团簇中Mn原子更倾向

赝势（pseudopotential），或有效势（effectivepotential），是指在对能带结构进行数值计算时所引入的一个虚拟的势。引入赝势有助于实现一个复杂的系统的近似计算。事实上，赝势近

单双轴应变作用下ZnO基态特性的第一性原理研究，商晶，李春，一般来说，施加应变会改变材料的电子结构，因此影响材料的各项基态特性。本文应用第一性原理计算，基于密度泛函理论的线性扰动方

Ag原子修饰石墨烯与氮化硼薄膜的第一性原理研究，陈晓劼，吴其胜，本文主要利用第一性原理对二维纳米材料表面修饰Ag原子进行了理论计算研究。通过计算发现，对单层或双层的石墨烯和氮化硼薄膜表面�

半导体材料通过掺杂实现n型和p型载流子导电在半导体器件领域具有重要意义,理论上可通过计算电荷转移能级和缺陷形成能来探索半导体材料的n型和p型掺杂效率。基于第一性原理,结合二维带电缺陷计算方法,类石墨烯

使用广义梯度近似(GGA)和Hubbard U方法进行第一性原理计算,以研究Co掺杂SnO2纳米片(NSs)的结构,电子和磁性。 我们发现两个Co原子具有聚集趋势,并且它们之间的磁性相互作用表现出铁磁

不同侧基苯衍生物电子特性的第一性原理研究

有序钙钛矿钛酸铜钙掺杂问题的第一性原理研究,徐利春,王如志,利用第一性原理方法研究了钛酸铜钙的掺杂选位问题。通过假设La掺杂可能替代的四个位置,计算掺杂后点阵膨胀、形成焓并分析了电子�