Sin(n=45)Mn团簇的结构和磁性的第一原理研究

基于DFT方法研究不同电负性的配体L(L=Li,H,Cl,F)对团簇化合物Au20L4的几何结构和电子结构的影响，皮卫军，李佳，本文先通过对含金小分子的计算结果与实验值的比较，选定Xα方法进行几何结构

Heusler合金Ni2-xMn1+xSn的结构和磁性研究，于淑云，韦佳佳，本文采用X射线衍射和磁性测量方法详细研究了Ni2-xMn1+xSn（x=0, 0.25, 0.5, 0.75, 1）多晶合金

厚度变化对SmCo薄膜磁性和结构的影响，李宁，李明华，利用磁控溅射制备了Sm含量为18.0at%的不同厚度的SmCo薄膜，并对其进行了退火处理。实验结果表明当薄膜厚度为30nm时，退磁过程体现软�

Co/ZnO薄膜的结构、磁性和磁电阻效应，李小丽，全志勇，采用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积了系列Co/ZnO薄膜，并对其进行后期真空退火处理，研究了Co层厚度、周期数以及后期退火对薄膜结构�

报道一种双线圈弹簧结构脉冲气阀的成功研制。产生的气体脉冲宽度(FWHM)小于200 μs,在不加Skimmer时气体脉冲峰值强度为2×1022 molecules/sr·s。气阀的主要性能与国外用激光

利用第一性原理中的DFT理论,研究了Mg/Li界面的能量和电子结构,讨论了替位型掺杂的元素Zn、Al、Si、Ca在Mg/Li界面处的作用。结果表明,合金化元素Zn、Si、Al替换界面处Li原子后,均可

氢间隙杂质对CdTe材料电子结构的影响：第一性原理研究，曲晓东，孙立忠，我们用基于平面波赝势的第一性原理方法，通过计算电子结构、电子局域函数和差分电荷，分析了不同形式的H间隙杂质对Ⅱ-Ⅵ族半导体�

基于密度泛函理论,对Al组分由0~1变化时AlxGa1-xAs体系的晶体结构、差分电荷密度、光电性质以及热力学性质进行第一性原理计算。得到AlxGa1-xAs体系的晶格常数a与Al组分x之间呈线性增加

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ZrB2电子结构和光学声学性质的第一性原理计算，喻亮，岳新艳，利用第一性原理计算了ZrB2的电子结构、光学和晶格动力学性质。对ZrB2的能带和电子态密度（DOS）的计算结果表明ZrB2具有金属特征，导