本书源于作者在直拉硅单晶生长控制领域十余年的研究心得与成果积累，在对硅单晶生长工艺参数及制备理论进行全面论述的基础上，系统地介绍了直拉硅晶体生长的基本原理和工艺过程以及热场、磁场等关键部件的设计理论与方法。研究了影响硅片品质的关键变量的检测问题和工程方法，提出了全自动晶体生长控制系统的基本理论和控制方法。全书分为八章，即绪论、硅单晶生长原理、硅单晶直拉（CZ）生长设备、直拉单晶炉热系统建模与设计实现、磁场环境下直拉硅单晶生长原理与实现、晶体生长过程关键变量的检测与信息处理、晶体生长过程控制原理与方法、全自动单晶炉自动控制系统设计与实现。书中的主要内容均从理论和实践两的方面予以阐述并辅以工程实验