Bi2Te3xSex体系单晶的生长和输运性质测量

使用CrCl3辅助合成方法获得了大量的单晶Cr2O3纳米线/纳米晶。 扫描电子显微镜和透射电子显微镜结果显示产物的纳米线/纳米晶形态。 X射线衍射和高分辨率透射电子显微镜显示了氧化铝相Cr2O3纳米线

2切线的性质和判定——学生学习课件

掺MgO铌酸锂晶体的生长及其倍频性质

用温梯法生长的Nd:YAG晶体制成φ5×50毫米激光棒,光学均匀性很好,晶体干涉条纹为零级,重复率输出的平均效率~1%,且极易获得单横模输出。

硒化亚硒化镉（CdS1-xSex）薄膜的可调节带隙特性使其成为适用于各种光电应用的合适材料，这引起了人们的极大兴趣。 在本文中，我们报道了通过化学浴沉积技术成功地在商用载玻片基板上生长的硒化硒化镉（C

通过嵌入磷调节多层二硫化钼纳米片的电输运性质

富磷熔体生长InP单晶的均匀性研究，杨帆，杨瑞霞，采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟( InP)熔体, 并利用液封直拉法(LEC)生长出了掺硫及掺铁单晶材料。分别用快速扫��

介绍了关于基于WinCC的单晶硅提拉生长系统应用研究.PDF的详细说明,提供产品应用的技术资料的下载。

β-环糊精对小麦淀粉体系性质的影响，张丽，王金鹏，采用快速粘度分析仪（RapidVisco-Analyzer，RVA）、差示扫描量热仪(DifferentialScanningCalorimetry，

MOCVD生长的GaMnN退火薄膜的磁学性质与结构的关系