MOCVD生长的GaMnN退火薄膜的磁学性质与结构的关系

关系的性质

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Zn源流量对MOCVD方法生长氧化镓薄膜特性的影响，徐梦想，夏晓川，本文利用金属有机物化学气相沉积方法,以三乙基镓为镓源，二乙基锌作为掺杂锌源，高纯氧气作为氧源，高纯氩气作为载气，在锌源流��

GaMnN薄膜由顺磁性变为铁磁性的方法-高温退火，胡泊，刘枚，通过激光分子束外延技术生长出具有顺磁性的非晶掺杂锰元素的氮化镓薄膜，经过高温退火后转变成结晶的铁磁性薄膜。经过X射线衍射�

不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质，宋超，陈谷然，采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜，经过不同温度下的热退火处理，使薄膜由非晶结构向晶化结构转变，得到含有纳米

我们表明,树振幅的CHY表示形式中的半整数对带有n个标记点的Riemann球面的模空间上的差分形式(散射形式)产生了定义。 这些差异形式具有一些显着的特性。 我们证明所有奇点都在除数0 0,n \M0

王金忠1,闫玮1,王新强1,殷景志1,姜秀英1, 杨树人1, 杜国同1,高鼎三1,Xiang Liu2,Hui Cao2, Junying Xu2, R.P.H.Chang2 (1.吉林大学 电子工程

针对行星式MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)反应器进口结构对AlN生长的化学反应路径和生长速率的影响进行数值模拟研究,通过改变反应器进口形式、

我们已经研究了锰掺杂引起的氮空位(VN)对通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的(Ga,Mn)N薄膜的电子结构和传输性能的影响。 (Ga,Mn)N膜中n型载流子浓度的显着增加归因于由Mn掺杂引起

MOCVD掺铌对MgF2(110)衬底上外延SnO2薄膜的结构,电学和光学性质的影响

DFT研究GaN MOCVD生长的加合物React路径

MOCVD在MgF2(110)衬底上生长的外延金红石型SnO2薄膜的结构,光学和电学性质

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶C 薄膜。为得到高阻(或半绝缘)的GaN 薄膜,研究了源(CCl4)流量和载气对MOCVD 外延GaN 薄膜电学性能的影响,发现

不同的退火气体对FTO衬底上生长的CuO薄膜的生长和光电流性能的影响

MOCVD生长的高含量InGaN的异常铟掺入和光学性质