XRD对ZnO 薄膜生长条件和退火工艺的优化(MOCVD)

提出一种分析微波等离子体化学气相沉积工艺条件对金刚石薄膜的组成和光学性质影响的方法。采用红外椭圆偏振光谱仪来分析Si衬底上金刚石薄膜的组成和光学性质,研究微波等离子体化学气相沉积法生长条件和退火工艺对

生长条件对MOCVD法生长应变InAlGaAs / AlGaAs量子阱质量的影响

溅射和退火温度对磁控溅射法生长的ZnO薄膜性质的影响，王彬，赵子文，利用磁控溅射法在Al203(001)衬底上生长ZnO薄膜，生长温度分别为500℃、550℃、600℃和650℃。生长后进行了800℃

MOCVD生长的GaMnN退火薄膜的磁学性质与结构的关系

GaN是一种宽禁带直接带隙半导体材料，在电子器件领域有着广泛的应用。但由于缺 乏合适的衬底材料，限制了器件性能的进一步提高。因此，如何提高GaN外延层的性能就 成为GaN材料研究和应用中的主要问题。

900℃空气退火对L-MBE生长的ZnO薄膜发光特性的影响，王东，张景文，本文采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底（0001）上生长了高度c轴择优取向的高质量ZnO薄膜，对生长的薄膜在空气中进行900℃退

我们调查了生长温度的依赖性 客栈通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的薄膜。 实验结果表明,生长温度对合金的表面形貌,结晶质量和电学性能有很大影响。 客栈层。 生长温度的升高使ω扫描的半峰全宽(

采用激光脉冲沉积法在Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为室温,200 °C,300 °C,400°C和500 °C。用X射线衍射仪、拉曼光谱、扫描电子显微镜对薄膜的微结构进行了测量,并测

生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的,由其X光衍射得知,生长过程中分段退火和最后退火在薄膜中分别引入了张应力和压应力.通过对样品光致发光光谱研究表明:分段退火样

为了优化蛭弧菌的生长条件,在前期研究确定适于蛭弧菌BD1生长的最佳pH、盐度、二价金属离子(Ca2+、Mg2+)、谷氨酸钠的浓度范围的基础上,综合考虑4个因子对蛭弧菌BD1生长的影响,利用Design