铝诱导的结晶产生较大的晶粒和在SiO2衬底上生长的多Ge薄膜的（111）取向平面，在SiO2衬底上生长的多Ge薄膜的（111）取向平面对于优异的性能非常重要电子和太阳能电池。我们讨论了通过Al诱导结晶在SiO2衬底上生长的50nm厚度的多Ge薄膜，重点是较低的退火温度和Ge与Al薄膜之间的扩散控制中间层。通过将较低的退火温度（325℃）和GeOx扩散控制中间层合二为一，聚Ge薄膜的（111）取向面比率高达90％。此外，我们发现聚锗薄膜表面上没有缺陷，并且通过电子背散射衍射测量证明聚锗薄膜的平均晶粒尺寸大于12μm。我们的结果证明了用在SiO2衬底上生长的多锗薄膜制造电子和光学器件的可