IGBT模块的杂散参数计算与封装设计研究

键合线脱落是IGBT芯片一种普遍的失效形式,铝键合线故障在一定程度上会影响门极杂散阻抗。杂散阻抗的改变又会引起门极电信号的变化,因此通过门极测量信号的变化来表征其杂散阻抗的改变,进而判断IGBT芯片是

IGBT技术不能落后于应用要求。因此,英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与目前逆变器设计应用功率或各自额定电流水平相关的开关速度和软度要求是推动这些不同型号器件优化的主要动力。这

基于PEEC方法实现的PCB板等杂散参数提取原理

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本文详细介绍了PCB元件封装设计的工艺规范和元件设计的相关参数，同时引用了IPC-SM-782A、SMT工艺与可制造性设计以及ACT-OP-RD-003等标准进行说明。为了满足产品的可制造性，需要根据

IGBT模块封装及车用变流器设计与验证说明。

直流杂散电流是引起井下瓦斯爆炸的重要原因之一,对煤矿安全生产具有很大威胁。针对这一问题,从杂散电流的产生机理着手,建立了井下直流杂散电流的分布参数模型;在该模型的基础上,仿真分析了各个参数对杂散电流的

封装小工具

球栅数组封装(BGA)正在成为一种标准的封装形式。人们已经看到,采用0.05至0.06英寸间距的BGA,效果显著。封装发展的下一步很可能是芯片级封装(CSP),这种封装外形更小,更易于加工。

描述IGBT损耗产生机理及计算方法的文章