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双 IGBT 模块上承受的过电压会导致系统可以控制的电流幅值减小,系统的过压保护值下降,从而限制 控制策略的实施。该过电压的大小受整个回路寄生电感的影响,为了在设计之初控制该参数,需要对整个回路上各部 件及其联接方式形成的电感值都提出要求。

绝缘栅型双极性晶体管(insulatedgatebipolartransistor，IGBT)模块由于线路杂散电感的存在使得在开通和关断的瞬态 过程中产生过大的电压尖峰，过压会使IGBT芯片的集电极电流增大从而导致结温上升，且其是导致IGBT模块失效的一个 重要因素，通过有限元仿真软件AnsoftQ