第一性原理vasp5

报道最多的p型透明导电材料是基于Cu的化合物,例如CuAlO2和CuCrO2。 在这里,我们报道基于ns(2)阳离子具有低结合能的化合物也可以具有高价带最大值,这对根据掺杂限制规则的p型掺杂至关重要。

采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了锰掺杂二硅化铬(CrSi2)体系的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明未掺杂CrSi2属于间接带隙半导体,间接带隙宽度ΔEg=0.35

NbSi2奇异高压相及其热力学性质的 第一性原理研究

第一性原理研究高压下H3S0.75P0.25的超导电性，邵子霁，李正磊，本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，以立方结构的H3S为母体，利用扩胞替代的方法将部分S原子替换成P原子得到H3S0.

PdAu(111)表面上一氧化氧化碳反应的第一性原理研究,袁定旺,刘自然,本文采用基于平面波赝势的第一性原理方法并结合弹性能带模拟,研究了Pd修饰的Au(111)表面上CO的氧化过程。 研究发现:只有

高温及高压下液体镓的结构_第一性原理分子动力学方法研究

Sc掺杂Mg二元合金力学性能和电子结构第一性原理计算，何亚蒂，王轶农，Mg作为一种产业应用的重要战略资源，提高其力学性能，使其能更广泛的应用于更多领域非常重要。本文选择稀土元素Sc对其进行固溶体�

硼（氮）掺杂石墨烯的Al、Mg原子吸附性能的第一性原理研究，王昆鹏，师春生，采用基于密度泛函理论（DFT）的平面赝势方法（PWP）和广义梯度近似（GGA），对未掺杂、掺杂B、掺杂N的石墨烯不同位置上金

TiO2中Fe和Ce共掺杂的电子结构的第一性原理研究，赵强，殷春浩，采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法研究了纯锐钛矿相的TiO2、单掺杂Fe和Ce及Fe和Ce共掺杂的TiO2的能带结构及态密度。

CrXN (x=1,2)的电子特性和相稳定性的第一性原理研究,董璠,吕知清,采用第一性原理方法计算了CrXN (x=1,2)的结构、电子性质和磁性,分析了CrXN (x=1,2)在高压下(低于40 G