封装技术半导体封装技术介绍,微电子,封装
在研究金属DBR中OTS的基础上研究M DBR M结构中的OTS的耦合特性.在M DBR M结构中在M1DBR和DBR M2交界面处都可以产生OTS两个OTS之间会发生耦合本章主要研究了M DBR M
增强型GaNMOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究,周桂林,张金城,采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaNMOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/Ga
科创板半导体领域的焦点企业——中微半导体,在技术创新与产业应用方面展现出显著优势。作为大国重器之一,中微半导体在半导体行业中占据重要地位,其科研成果与产品性能备受市场认可。国金证券发布的最新研究报告
复合电压下油纸绝缘气隙缺陷局部放电特性研究,李军浩,李彦明,换流变压器是高压直流输电中的关键设备,换流变的阀侧绝缘承受的是一种直流、交流、谐波等多种电压复合而成的复合电压。局部放电
采用金属有机气相外延的方法制备高质量氮化镓薄膜。采用真空热蒸发的方法蒸镀一层金膜,通过传统紫外曝光及湿法腐蚀的方法,制备得到具有金属半导体金属(MSM)结构的紫外光电探测器。通过对器件进行不同温度不同
电注入载流子对半导体波导传输光相位影响的研究,杨长屹,,波导型的光开关是通过改变材料折射率来控制信号光的传输特性,改变材料折射率的方法当中,载流子注入因其具有高速(可达ns量级)�
半导体制造栅氧工艺的Q-Time研究及改善方案,倪立华,程秀兰,随着集成电路器件性能的不断提高和技术的飞速发展,对半导体制造工艺条件的要求也越来越严格。业界大多采用等待时间(Q-Time)控制
基于宽禁带半导体GaN的高温电子电路研究,沈鸿媛,杨杰,航空航天、石油钻探、火力发电和核能等行业都需要在高温环境下工作的电子系统,而硅半导体器件的最高工作温度只有150摄氏度,远�
论文研究-基于双层蚂蚁算法的半导体炉管制程批调度研究.pdf,