随着各种新纳米CMOS器件技术的出现，在等比例缩小原则的限制下，硅膜厚度逐渐减薄，这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战。本文借助半导体二维仿真器件——MEDICI，研究了不同硅膜厚度下金属-绝缘层-半导体结构的低频和高频电容-电压特性，通过研究不同偏置下的能带结构探讨了其内在物理机理，并分析了考虑金属与半导体功函数差、绝缘层固定电荷等因素的影响时该结构的电容-电压特性，为通过电容-电压特性法对薄硅膜MIS结构进行参数提取与表征进行了有益探索。