高功率980nm垂直腔面发射激光器的研制

介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(简称ECR plasma CVD)法淀积980 nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺条件,探索了膜系监控的方法和优越性,讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学

报道了一种采用大光学腔结构的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱高功率半导体激光器。在量子阱能级本征值方程的数值求解基础上,优化了InGaAs阱层材料的In组份含量;采用大光学腔结构以有效降

以InGaAs多量子阱为有源区材料, 以对抽运光透明的AlGaAs/AlAs为后端分布布拉格反射镜材料, 采用后端抽运方式, 在腔内插入标准具作为滤波元件, 通过腔内倍频, 获得小型化可调谐的光抽运外

The design, fabrication, and characteristics calculation of 980-nm optically pumped semiconductor di

报道了使用三镜折叠腔Nd∶YAlO3/LBO腔内倍频获得670.7 nm激光的研究.通过计算分析光学谐振腔参数,设计了较佳的谐振腔参数,在平均抽运功率为1783 W时获得了3.26 W的670.7 n

已制造出微透镜集成的底部发射980 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL),发射窗口Kong径为400μm。 具有九个InGaAs-GaAsP量子阱和n型分布式布拉格反射器(n-DBRs)的反射率略有下

用准分子方法所获得的气体激光器的进展以及研制真空紫外激光器和1000千兆瓦激光器(目前正在美国进行)的可能性,是C. Grey Morgan(斯旺西大学)在一次“甚高功率气体放电激光器”讲演中提到的有

利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质.利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000

所谓高功率光纤激光器，是相对于光纤通讯中作为载波的低功率光纤激光器而言（功率为mW级），是定位于机械加工、激光医疗、汽车制

IPG高功率光纤激光器