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镁光DDR3手册
设计规范 ddr4_sodimm_design_specification_v100_2040701ddr4
DDR3JEDECSPECJESD79-3
目前网站上关于prelayout与postlayout介绍太少,这篇pdf文档详细对比了两者,方便各位学者学习。
DDR3内存相对于DDR2内存,其实只是规格上的提高,并没有真正的全面换代的新架构。DDR3同DDR2接触针脚数目相同。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量内存的支持较好,而大容量内存的分水岭是4
三星（Samsung）和美光（Micron）最新选型资料
DDR2SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备
本文主要涉及到对DDR2和DDR3在设计印制线路板（PCB）时，考虑信号完整性和电源完整性的设计事项，这些是具有相当大的挑战性的。讨论在尽可能少的PCB层数，特别是4层板的情况下的相关技术，其中一些设
利用报废主板制作SPD刷内存编程器座子
204-PinDDR3SDRAMUnbufferedSODIMMDesignSpecification,Rev1.0
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