PECVD沉积参数对硅薄膜生长速率的影响,王志辉,强颖怀,高效、稳定、廉价的多晶硅薄膜太阳电池有可能替代非晶硅薄膜太阳电池成为新一代无污染民用太阳能电池。传统等离子体化学汽相沉积
晶体硅太阳电池能够取得高效转换效率的原因主要是基于表面钝化、湿氧氧化等技术的应用。
铝浆在晶体硅太阳电池上的应用讨论
基于Si量子点的氮化硅发光二极管中的空穴溢出的抑制和发光效率的提高
主办:上海市科委发展计划处 上海市科学学研究所 本 期 内 容 导 读 宽带隙的GaN基半导体在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器,以及高温微电子器件方面显示出广阔的应用前景;
硅光电池特性的研究 适合对硅光电池有爱好和研究的人员学习下载
采用激光脉冲沉积法在Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为室温,200 °C,300 °C,400°C和500 °C。用X射线衍射仪、拉曼光谱、扫描电子显微镜对薄膜的微结构进行了测量,并测
通过化学路线沉积的过渡金属硫族化物纳米复合薄膜目前吸引了广泛的关注,其廉价,简单并且可用于大面积应用。由于应变引起的性质改变和晶格失配,基底的作用在膜沉积以及控制其性质中变得非常重要。使用溶胶-凝胶技
DNA功能化的氮化硅纳米Kong,用于DNA生物传感器的序列特异性识别
可能释放出多种金属,包括锌(Zn),镍(Ni),铝(Al),铬(Cr),镓(Ga),铅(Pb),铜(Cu)和铟(In),并造成污染当报废的报废(EoL)Cu(InGa)Se2薄膜太阳能电池板(CIGS
