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利用磁控溅射法,在不同的工艺条件下制备氮化钛薄膜。详细分析了不同工艺条件下薄膜的光谱选择特性以及相应的光学常数,通过俄歇电子能谱对薄膜的不同深度的元素成分进行了分析,由原子力显微镜测量并处理得到氮化钛
晶体硅太阳电池能够取得高效转换效率的原因主要是基于表面钝化、湿氧氧化等技术的应用。
铝浆在晶体硅太阳电池上的应用讨论
基于Si量子点的氮化硅发光二极管中的空穴溢出的抑制和发光效率的提高
主办:上海市科委发展计划处 上海市科学学研究所 本 期 内 容 导 读 宽带隙的GaN基半导体在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器,以及高温微电子器件方面显示出广阔的应用前景;
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采用激光脉冲沉积法在Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为室温,200 °C,300 °C,400°C和500 °C。用X射线衍射仪、拉曼光谱、扫描电子显微镜对薄膜的微结构进行了测量,并测
通过化学路线沉积的过渡金属硫族化物纳米复合薄膜目前吸引了广泛的关注，其廉价，简单并且可用于大面积应用。由于应变引起的性质改变和晶格失配，基底的作用在膜沉积以及控制其性质中变得非常重要。使用溶胶-凝胶技
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硅烷浓度对VHF-PECVD制备过渡区微晶硅薄膜特性的影响，汪文明，杨恢东，采用甚高频等离子体化学气相沉积（VHF-PECVD）技术，通过调节硅烷浓度，获得了系列非晶/微晶过渡区薄膜材料，并测试分析了
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