论文研究 ZnSe和ZnS的组成和带隙控制的AACVD
ZnSe和ZnSxSe1-x的多晶薄膜已通过气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)从双(diethyldiselenocarbamato)锌(II)和1:1和1:0.75的bis(diethyldiselenocarbamato)锌混合物( II)和双(二乙基二硫代氨基甲酸)锌(II)作为前体。 所有薄膜均通过p-XRD,SEM,EDX,拉曼光谱,光致发光(PL和UV / Vis光谱)表征。发现纯ZnSe薄膜的带隙为2.25,而ZnSxSe1-x薄膜的带隙为2.55。 ZnSxSe1-x薄膜的ZnSxSe1-x薄膜具有明显的蓝移,这是由于薄膜中的硫含量增加了带隙,可以控制ZnSSe的带隙ZnSe
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