LEC法生长InP单晶结构与缺陷研究,陈爱华,杨瑞霞,运用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的InP熔体,并利用液封直拉法(L EC )生长出了3英寸富磷掺铁InP单晶。运用高分辨率X射线衍