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在直接以微波频率调制半导体激光器方面已取得很大的进展。Ortel和加州理工学院联合研制出适于高速运转的GaAlAs激光器的最佳结构。这些激光二极管已能在超过8千兆赫的X频带下连续调制。实验和理论研究表
研究半导体激光器开环单向耦合的相位混沌同步。采用希尔伯特变换提取混沌激光器光场的相位时间序列,利用互相关系数、同步误差分析半导体激光器相位同步特性。实验结果表明,当注入强度大于0.80、频率失谐为-1
傍轴近似下的光学矩阵理论,可以简化光束传输计算过程,使光学系统设计更为方便。将ABCD变换矩阵方法引入到耦合光学系统的设计中,运用高斯光束的ABCD法则,详尽地给出了某一耦合方式下的半导体激光器耦合入
为了提高半导体激光器的光谱纯度、亮度和工作稳定性,对多环耦合结构的半导体激光器进行了研究。采用多环耦合与弯曲有源波导共端输出结构,使得环形结构激光器输出在光谱纯度、亮度和工作稳定性方面得到了大幅改善。
报道了一种光脉冲自注入的新方法,它能使增益开关DFB激光器输出光脉冲的时间抖动从5.7 ps减小到1.2 ps,分析了注入光延迟时间及功率对时间抖动的影响,指出为取得抑制时间抖动的最佳效果, 必须选择
高光束质量、高功率的光纤耦合半导体激光器在工业加工领域具有广泛的应用需求。本文采用微光学元件光束变换系统(BTS)对19个发光单元的标准cm-bar半导体激光器阵列进行光束变换,提高阵列慢轴方向的光束
在理论上对强外腔反馈情形的外腔半导体激光器线宽压窄效应进行了分析,对消反膜剩余反射率、外腔反射率、外腔腔长对线宽压缩的影响进行了研究;在实验上采用光纤光栅作为反馈元件,与一端镀有消反膜的1.5Lm波段
报道了一种采用大光学腔结构的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱高功率半导体激光器。在量子阱能级本征值方程的数值求解基础上,优化了InGaAs阱层材料的In组份含量;采用大光学腔结构以有效降
第一部分：概述第二部分：光纤通信系统对半导体激光器的要求第三部分：高速光纤通信中的半导体激光器第四部分：半导体激光放大器及其应用
本文详细论述了影响高功率半导体激光器的主要因素点，以此来提高高功率半导体激光器向更好方向发展
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