四个维度的非线性高自旋方程允许采用封闭的二维形式，该形式将规范不变的整体电荷定义为二维周期中的积分。 在本文中，我们认为，这种电荷会根据理论中拓扑场模块识别出的各种低旋和高旋化学势而产生划分。 对分区的真空贡献被计算为第一个非平凡阶，以求得广义自旋的广义相对论的AdS 4 Kerr黑洞的自旋方程式的解。 结果分区是非零的，并且与旋转源的类似ADM的行为在参数上一致。 还提取了化学势对分配函数的线性响应。 给出了4 d GR黑洞的显式展开形式。 获得了一个明确的公式，该公式将以广义的高自旋Weyl张量表示的渐近高自旋电荷与以Fronsdal场表示的渐进高自旋电荷相关。