使用氮化方法在氮气流（200 mL / min）下合成不含任何添加剂的氮化镁硅（MgSiN2）。 研究了温度和保温时间对其纯度和形态的影响。 在1350℃，1小时和1250℃，11小时的条件下获得了单相MgSiN2粉末。 然而，MgSiN2的分解发生在1450℃，这表明由Mg-Si体系制备MgSiN2的最佳温度为1350℃。 分别通过X射线衍射（XRD），扫描电子显微镜（SEM）和能谱仪（EDS）检测样品的相纯度，形态，产物尺寸和元素组成。 Mg和Si的蒸发导致在块状产物中形成许多空隙。 温度梯度促进了MgSiN2在沿尖端的大块产品表面上的生长。 空隙中Mg和Si蒸气的浓度梯度导致MgSiN2