论文研究 锗和锗锗单层掺杂的第一性原理研究

通过基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了取代掺杂锗烷单层的Ga和As原子的能级，结构，电子和光学性质。 两种掺杂都是热力学稳定的。 根据能带结构和状态的部分密度，镓是p型掺杂。 低于导带的杂质带导致吸收光谱沿红外方向移动。 砷掺杂具有穿过费米能级的杂质能级，并且是n型掺杂。 光学性质的分析证实了带隙和掺杂性质的值。