电缆接头内部电场上的冲击电压的分析在研究接头的击穿中起关键作用。 基于有限元方法,建立了电缆接头的三维电磁场仿真模型。 仿真结果表明,电缆接头头部的电压约为脉冲电压的两倍。 半导体材料的电导率的增加也导致电场强度的增加。 然后,选择不同位置的几个点和曲线进行进一步分析。 其中,高压屏蔽罩边缘的电场畸变最严重,气隙中的电场最小。