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研究了氢氧化钙-氯化铵-双氧水法生产过氧化钙的工艺过程和影响因素。通过单因素实验,得到制备过氧化钙的最佳工艺条件为反应温度26°C、反应时间35 min、稳定剂偏硅酸钠用量14%、双氧水浓度15%、氢
硅薄膜的制备及光学性能研究，马胜利，王利，本文采用磁控溅射技术，通过改变溅射功率制备了系列非晶硅薄膜，并研究了薄膜的光学性能。结果发现，随着溅射功率的提高，硅薄膜
采用射频磁控溅射法,以铌靶和硅靶为靶材,在玻璃基片上沉积了NbSiN薄膜。研究了硅靶、铌靶功率、氮气流量以及溅射时间对薄膜光学性能的影响,得出实验室条件下的最佳制备工艺参数。测试结果表明,最佳工艺参数
SiO2膜在微技术中具有两个主要作用:作为介电层或作为掺杂/蚀刻掩模。在这两种情况下,通常都需要图案化。当在高温烘箱中通过硅衬底的氧化获得时,SiO2被称为“热”。否则,它可以通过化学气相沉积(CVD
摘要:在半导体制造工艺的湿法刻蚀中,用热磷酸刻蚀氮化硅和氮氧化硅是其中一个相对复杂又难以控制的工艺。在这个工艺中,热磷酸刻蚀后的去离子水(DIW)清洗更是一个非常重要的步骤。主要分析了由于去离子水清洗
1在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质,是MOS器件的组成部分 2扩散时的掩蔽层,离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层 3作为集成电路的隔离介质材料 4作为电容器的绝缘介质材料
铍镁共掺氧化锌纳米晶的制备及光学性能，李玉芳，刘妍利，胶体氧化锌纳米晶是一类非常重要的半导体材料，与传统薄膜材料相比它有许多优势，如优异的光电性能、易于制备和加工。掺杂或合金
非晶硅氧化锡薄膜晶体管中的纳米级自形成金属氧化物中间层
为了研究ZnO的光学特性随溶液浓度变化的规律,采用水热法在低温条件下合成了具有六方纤锌矿结构的纳米ZnO材料。分别对样品的形貌、结构、光学特性进行了表征和分析。研究结果表明,纳米ZnO沿着(002)晶
二氧化硅固载1-亚硝基-2-萘酚接枝树脂的制备及其除钴研究，赵昊良，阳卫军，湿法炼锌的硫酸锌电解液中微量的钴离子会给电解锌工序造成严重影响，传统方法存在着成本，试剂残留，污染等缺点,因此开发出可高�
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