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基于Cu衬底上超长ZnO纳米梳和纳米带的制备及生长机理研究，许玉娥，杜甲印，利用简单的热蒸发法首次在Cu衬底上合成了超长的ZnO纳米梳和纳米带，并采用扫描电子电镜和X射线衍射仪对其形貌和结构进行了表征
通过第一性原理系统地研究了空位缺陷对硅纳米线掺杂的影响。 探索了直径为2.3 nm的H钝化硅纳米线中空位和空位硼(空位-磷)配合物的原子结构和电子性质。 几何优化的结果表明,中心空位可以稳定存在,而纳
ZnO纳米结构薄膜的水热法制备，柯健，戴英，低温条件下，采用水热法，在预先镀有ZnO晶粒层的玻璃基板上制备出ZnO纳米棒阵列，在Al基板上制备出ZnO片状纳米结构薄膜。并通过X射线
Au辅助制备Graphene-ZnO纳米棒复合结构，孙振翠，杨诚，在Au沉积层的辅助下，通过化学气相沉积方法在Si衬底上成功合成具有规则取向且具有较高光学特性的Graphene-ZnO纳米棒复合结构。
Mn和Co掺杂的ZnO微晶的有机热解法制备及性能研究,汪汉斌,王浩,本文采用高温有机化学方法制备出Co 和 Mn 离子掺杂的 ZnO微米晶体。 制备得到的样品呈六角锥形,尺寸在100-400 nm 之
碲化铋纳米花的溶剂热合成及其热电性质研究，孙绍林，邢艳，本文以抗坏血酸为还原剂，采用简便易操作的溶剂热法合成了具有花状结构的碲化铋纳米热电材料。借助X射线衍射 (XRD)、场发射扫描电�
Bi掺杂GaAs电子结构和光学性质的理论研究，李奕，章永凡，采用基于赝势平面波的第一性原理方法，研究了未掺杂和Bi掺杂GaAs晶体的电子结构，以及掺杂前后GaAs晶体的复介电函数和复折射率函数�
氮钝化对Te掺杂GaSb材料光学性质影响的研究，容天宇，房丹，锑化镓（GaSb）是实现高性能中红外波段激光器的重要材料。然而GaSb材料表面的化学性质活泼，具有较高的表面态密度，导致费米能级钉�
开发一种新型TiO2纳米线阵列干涉传感器。首先,通过水热合成法在FTO导电玻璃表面制备了TiO2纳米线阵列薄膜。然后,以此复合结构作为传感芯片,利用Kretschmann棱镜耦合结构,构建了基于Kre
为了研究Co掺杂及掺杂浓度变化对ZnO薄膜结构及光学性能的影响,本文采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了不同Co掺杂浓度的ZnO薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜、傅里叶变换红外光谱仪、二维傅
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