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通过硫化(Cu,Sn)S / ZnS结构的前驱体获得Cu2ZnSnS4(CZTS)膜,该前体是通过连续离子层吸附和React方法以及化学浴沉积方法的组合制备的。 当前体在500°C退火2 h时,获得纯
薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)。对于CVD工艺,这包括原子层沉积(ALD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。PVD沉积技术包括溅射,电子束和热蒸发。CVD工
以乙醇钽[Ta(OC2H5)5]和水蒸气为前驱体,采用原子层沉积(ALD)方法分别在基板温度为250 °C和300 °C的K9和石英衬底上制备了Ta2O5光学薄膜。采用分光光度计、X射线光电子能谱(X
采用电化学外延法在Mo衬底上成功制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。电解质包含0.124 M CuSO4中心点5H(2)O,0.14 M ZnSO4、0.13 M SnCl2中心点2H(2)O,
Zn–Fe–SiO2复合电沉积中试研究，张英杰，范云鹰，Zn–Fe–SiO2复合镀层具有耐蚀性能优良、无需钝化处理等优点，为了更好地将其应用于生产实践，进行了电沉积Zn–Fe–SiO2复合镀层的中�
通过在新颖的电解质配方和优化的Mo衬底上参数优化的条件下,通过在饱和硫气氛中退火,对Cu-Sn-Zn前驱体进行共电沉积,成功地制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。 在-1.62 V的电压下5分钟
退火温度对原子层沉积法制备ZnMgO薄膜结构和光学性质的影响，孙冬晓，李金华，采用原子层沉积法（ALD）在石英衬底上制备ZnMgO薄膜，并对制得的样品在空气中进行不同温度的退火处理。利用X射线多晶衍射
通过化学路线沉积的过渡金属硫族化物纳米复合薄膜目前吸引了广泛的关注，其廉价，简单并且可用于大面积应用。由于应变引起的性质改变和晶格失配，基底的作用在膜沉积以及控制其性质中变得非常重要。使用溶胶-凝胶技
沉积压力对射频磁控溅射制备的IGZO薄膜光学和电学性质的影响
电泳沉积制备功能薄膜研究进展，周海佳，刘雪芹，电泳沉积（EPD）是一种材料制备的电化学方法，应用十分广泛。作为功能材料制备的重要手段，电泳沉积最近几年发展非常迅速。不仅其
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