在本文中，作者报告了射频（RF）磁控管溅射与基于等离子体的离子注入（PBII）技术结合使用以合成硼碳（BC）膜的情况。 高纯度碳化硼（99.5％）盘用作目标，RF功率为300W。在指定范围内变化的CH4分流压力下，氩气（Ar）-甲烷（CH4）的混合物用作反应气体最大气压为0-0.15 Pa，固定总气压和总气流分别为0.30 Pa和30 sccm。 研究了CH4流量比对BC膜摩擦系数的影响。 膜的摩擦系数取决于B的浓度。当其为10％以下时，该系数降低至0.2以下。 在B的该浓度范围内，比磨损率也降低至10-7mm 3 / Nm的量级，并且显示出优异的耐磨性。