暂无评论
氢化非晶硅 (a-SiH) 薄膜在微电子和光电子工业中有着重要的应用,而椭偏分析技术是一种重要的薄膜表征手段。利用椭偏测量技术并采用Tauc-Lorentz(TL)模型和Forouhi-Bloomer
利用频域有限差分法,分析了两种典型晶硅电池结构的Ag背反镜的吸收损耗。研究表明:平板型晶硅电池Ag背反镜的损耗主要是由本征吸收和导模共振吸收引起,而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的
基于新型转移技术的柔性单晶硅薄膜PIN二极管的射频特性与建模研究，秦国轩，秦月辰，本文介绍了塑性衬底上柔性微波单晶硅纳米薄膜PIN二极管的制备方法及其在不同工作状态下的射频特性，在二极管正向导通的条件
对硅光子技术而言,最难解决的是光发射元件(Ge-on-Si技术)的问题,制成光发射元件的话也仅停留在注入光后确认有激光振荡现象的阶段。
MICROCRYSTALLINESILICONSOLARCELLS:THEORY,DIAGNOSISANDSTABILITY著名的瑞士IMT关于微晶硅薄膜电池的博士论文
Al2O3/SiNx叠层膜对单晶硅太阳能电池钝化机制的研究 ，王禹钧，张炳烨，本文主要研究了同一退火时间下不同退火温度对n型CZ-Si单层厚度为8nm的Al2O3膜钝化效果的影响，发现在退火时间为25
2020 年中国光伏景气超预期,光伏平价下重启新增长。531 光伏新政使近两年国内 光伏行业有所波动,但不改行业整体向上趋势。国内新增装机量从 2012 年的 4.5GW 开 始高速增长,2017 年
同轴硅-绝缘体-硅直通硅通Kong的电学特性:理论分析和实验
薛 清,李冠成,王秉坤 (淮海工学院数理科学系, 江苏 连云港 222005) 摘要:报道了利用快速退火法控制膜中纳米硅粒大小的方法,讨论了升温快慢与所形成的纳米硅粒大小的关系。 关键词:纳米硅;快速
以硅灰、白炭黑、硅溶胶为硅源合成碳化硅晶须的研究，李心慰，，以硅灰、白炭黑、硅溶胶为硅源，炭黑为碳源，采用碳热还原法合成碳化硅晶须，通过XRD及SEM对合成产物的物相及形貌进行分析，探讨了
暂无评论