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量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光学特性的影响，林涛，林楠，对于采用AlGaInP/GaInP有源区的670nm波段半导体激光器，可通过量子阱混杂技术制作腔面非吸收窗口来改善其输出光学特性
下一代地基或天基大型望远镜系统多采用拼接式主镜实现。受多个误差源的干扰,拼接式主镜中的子镜面容易偏离设计位置而发生刚性失调,其中,子镜沿着光轴方向的piston误差和绕子镜面内旋转轴的tip/tilt
设计了一种工作在光波段的新型四重对称的双层手征结构,通过数值模拟得到透射系数和反射系数,反演计算了结构的圆二色性、旋光角、手征参数和折射率。结果表明该结构在谐振波长附近具有很强的旋光性,并且在椭偏度为
快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及光学特性的影响研究，智民，方铉，GaAs/AlGaAs量子阱材料是制备高性能激光探测器件的重要材料。然而材料在生长中引入的缺陷及材料的异质界面存在的界
研究了一种包含西佛氏碱和萘酰亚胺新型材料的LB膜的制备,并采用二次谐波产生的方法研究了LB单层膜的二阶非线性光特性.这种化合物具有较大的二阶非线性极化率(χ(2)=1.51×10-9 esu).它的二
根据LED光通量测量的特殊性，在LED测量用积 球设计中进行了独特的优化，同时采用高反射率的漫通键反射材测使系统稳正性合及行确
采用射频磁控溅射法,以铌靶和硅靶为靶材,在玻璃基片上沉积了NbSiN薄膜。研究了硅靶、铌靶功率、氮气流量以及溅射时间对薄膜光学性能的影响,得出实验室条件下的最佳制备工艺参数。测试结果表明,最佳工艺参数
硅薄膜的制备及光学性能研究，马胜利，王利，本文采用磁控溅射技术，通过改变溅射功率制备了系列非晶硅薄膜，并研究了薄膜的光学性能。结果发现，随着溅射功率的提高，硅薄膜
1.光电特性 LED在其电流极限参数范围内流过LED的电流越大,它的发光亮度越高.即LED的亮度与通过LED的电流成正比.但绿光和蓝光及白光在大电流情况下会出现饱和现象,不仅发光效率大幅降低,而且
LED全彩屏最终目的就是呈现给人一个好的视觉效果,其亮度色度的一致性是一个比较重要的方面。在色度范围内,包括色均匀性和色保真度两个方面。色均匀性是指同屏各个像素、模块、模组之间显示同一种颜色时的色差一
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