MOS器件的窄沟道效应

下面对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强

MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。 静电击穿有两种方式;

MOS管被击穿的原因及解决方案如下: 第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),

MOS晶体管的最高工作频率被定义为:当对栅极输入电容CGC的充放电电流和漏源交流电流的数值相等时,所对应的工作频率为MOS晶体管的最高工作频率。这是因为当栅源间输入交流信号时,由源极增加(减少)流入的

脉冲激光沉积制备的Ge纳米环MOS器件的存储特性

芯片资料，

模拟沟道电子速度对弹道MOSFET沟道表面电势的影响

以金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性,MOSIC得到迅速发展。与双极型集成电

所有 MOS 集成电路 (包括 P 沟道 MOS, N 沟道 MOS, 互补 MOS — CMOS 集成电路) 都有一层绝缘栅,以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm

假设磁性元件(如变压器)铜损耗的计算公式为I2·Rdc,式中,Rdc为绕组的直流电阻,它是通过绕组导线长度和绕组单位长度的电阻值(根据选定导线尺寸查表即得)计算出来的。I为电流的有效值。 由于集肤