元器件应用中的MOS管被静电击穿的原因分析
用户评论
推荐下载
-
元器件应用中的介绍管座管脚的数法
下面介绍管座管脚的数法:管座是用瓷料或电木等绝缘材料做成,有插孔与焊接片,插孔数与管脚数一般是一样的。不过有的电子管只有四只脚,但设计也得适用八脚管座。管座为配合不同电子管也相应设计有各式各样的。我国
7 2020-11-26 -
元器件应用中的使用品体管时的TO封装
在使用品体管时,经常看到TO封装,是什么意思? TO封装是国外一些晶体管采用的封装型式,如日本的2SA、2SB、2SC、2SD系列,美国的2N系列以及欧洲的BU、MJE系列都采用了TO系列封装型式。
16 2020-11-28 -
元器件应用中的达林顿管的主要特性参数介绍
达林顿管分为两类:一类是普通型达林顿管,内部无保护电路,像2W以下的中、小功率达林顿管多属此类;另一类内部带保护电路,大功率达林顿管便属此类。下表列出了硅NPN型大功率达林顿管的主要特性参数。 表
11 2020-11-25 -
元器件应用中的判断场效应管的好坏
场效应管的好坏可以用万用表进行简易的判断,其方法就是用万用表测量场效应管各电极间的电阻值,然后与手册中标明的电阻值进行对照。具体测量方法是:将万用表置于RX1O或Rx100挡,首先测量源极S与漏极D之
25 2020-11-26 -
元器件应用中的双栅场效应管
双栅场效应管有一个源极、一个漏极和两个栅极,其中两个栅极是互相独立的,使得它可以用来作高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。表列出了一些双栅场效应管的主要特性参数。 一些双栅场效应管圭要特性
10 2020-11-26 -
元器件应用中的阻尼二极管
1.阻尼二极管的特点及应用 阻尼二极管类似于高频、高压整流二极管,其特点是具有较低有电压降和较高的工作频率,且能承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流. 阻尼二极管主要用在电视机中,作为阻尼二极
12 2020-11-21 -
元器件应用中的字母型LED数码管
字母型LED数码管外形和典型引出管脚方式如图a、b所示。 在显示英文字母时就需要用字母型LED数码管,比如要显示NPN型晶体管的N字,就可以点亮字母LED数码管的d、c、m、i、g、h各段。 图
5 2020-11-26 -
元器件应用中的大功率达林顿管参数
表列出了几种大功率达林顿管参数。 表:几种大功率达林顿管参数
12 2020-11-25 -
元器件应用中的场效应管其他参数
1极间电容。场效应管的三个电极间都存在着极间电容,即栅源电容CGS、栅漏电容CGD和源漏电容CDS。CGS和CGD一般为1~3PF,CDS约为0.1~1pF 2漏源最大电流IDM。 它是指场效应管
13 2020-11-25 -
几种MOS管击穿你了解吗.pdf
几种MOS管“击穿”,你了解吗?pdf,MOSFET的击穿有哪几种?Source、Drain、Gate,场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G。先讲测试条件,都是源栅衬底都是接地,然后扫描漏极电压,直
27 2020-07-24
暂无评论