元器件应用中的判断场效应管的好坏

一、定性判断场效应管的好坏 先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡,将

(1)结型场效应管栅极的判断用万用表的Rx1k挡,将黑表笔接触管子的一个极,用红表笔分别接触另外两个电极,若两次测得的阻值都很小,则黑表笔所接的电极就是栅极,而且是N型沟道场效应管。如果红表笔接触一个

双栅场效应管有一个源极、一个漏极和两个栅极,其中两个栅极是互相独立的,使得它可以用来作高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。表列出了一些双栅场效应管的主要特性参数。 一些双栅场效应管圭要特性

本文主要简单介绍了场效应管的替换原则及好坏判断

场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单,器件特性便于控制,是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。

功率MOS场效应晶体管全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),简称功率MOSFET,它是

Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共

场效应管好坏的简单判断方法 精典经验的结晶

一、偏置电路 有自生偏置和混合偏置两种方法,表1电路I利用漏极电ID通过Rs所产生的IdRs作为生偏置电压,即Ugs=-IdRso可以稳定工作点。|IdRs|越大,稳定性能越好,但过负的偏置电压,

场效应管与晶体管相似,但两者的控制特性却截然不同,普通晶体管是电流控制元件,通过控制基极电流达到控制集电极电流或发射极电流的目的,即需要信号源提供一定的电流才能工作,因此,它的输入电阻较低。场效应管则