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不同尺寸和阵列微结构的ZnO纳米线阵列的浸润性能，张明艳，陈伟良，本论文通过两步化学法制备出了不同尺寸、阵列微结构的ZnO纳米棒阵列，并测试了样品表面与水的接触角，着重研究了由ZnO纳米棒尺寸和
氧化铝模板法合成Ni单晶纳米线阵列，陈文，戴英，采用直流电化学沉积法在自制的阳极氧化铝（AAO）模板中成功制备了Ni单晶纳米线阵列。X射线衍射（XRD）分析证明所制得的Ni纳米线阵列�
采用微波辅助多元醇法,以乙二醇为溶剂和还原剂,PVP为表面活性剂,CuCl2为控制剂,快速制备Ag纳米线。在保持其他条件不变的情况下,考察了微波功率、反应时间对产物Ag纳米线的影响。利用扫描电子显微镜
自支撑花状Ag掺杂ZnO纳米线阵列制备及光学性质研究，王许杰，方芳，利用简单温和的二步水浴法制备一种大面积自支撑、可自由迁移的花状Ag掺杂ZnO纳米线阵列。通过场发射扫描电子显微镜（FESEM）、元素
提出用碱溶液修饰硅纳米线阵列制作太阳能绒面的方法。实验中首先采用金属催化化学腐蚀法在Si(100)基底上制备了定向排列的硅纳米线阵列,然后将纳米线阵列浸入碱溶液中进行修饰,修饰时间分别为10,30,5
液相法合成纳米Ag及Ag-Ag2S杂化纳米晶，赵艳猛，孙大鹏，通过液相法以油胺为还原剂和包覆剂，制得了单分散性很好的Ag纳米晶，该纳米晶平均尺寸在60.5nm并呈现出良好的自组装性能。然后，通�
Ag纳米粒子修饰ZnO纳米线相关特性研究，刘俊林，张贺秋，利用水溶液法制备出ZnO纳米线，使用真空热蒸发方法用Ag对ZnO纳米线进行表面修饰。用场发射扫描电子显微镜（FESEM）、X射线衍射（XRD）
脉冲电沉积制备铟-碲多孔纳米线阵列，汪晓允，薛方红，本文在室温下,以多孔阳极氧化铝(PAA)为模板,采用脉冲电沉积方法成功制备出了直径约为50 nm的铟-碲(In-Te)多孔纳米线阵列。对制备的样品�
ZnO / CdS纳米复合材料的化学成像,电子结构和光学性质已通过扫描透射X射线显微镜(STXM),X射线吸收近边缘结构(XANES)和X射线激发光致发光(XEOL)进行了研究光谱学。 STXM和XA
开发一种新型TiO2纳米线阵列干涉传感器。首先,通过水热合成法在FTO导电玻璃表面制备了TiO2纳米线阵列薄膜。然后,以此复合结构作为传感芯片,利用Kretschmann棱镜耦合结构,构建了基于Kre
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