论文研究 在CuIn上通过光谱椭偏(SE)识别光学跃迁
通过Bridgman技术使用Cu,In和Se元素合成了块状材料。 这些样品的特征是通过能量色散光谱(EDS)确定元素组成,并通过X射线衍射确定结构,采用热点探针法确定导电类型,并通过光响应(Photoconductivity)和光致发光(PL)确定样品的组成。带隙值和光谱椭偏仪在室温下在能带方案中找到能隙以上的能级。 它们显示了近乎理想的化学计量,并呈现出p型电导率。 CuIn3Se5具有锡矿结构,有序缺陷黄铜矿结构(ODC)或有序空洞黄铜矿结构(OVC)。 对于不同样品获得的带隙能量为1.23eV。 通过在室温下测量介于1.5和5.5 eV之间的能量的介电函数,可以确定能带方案中能隙上方的能
暂无评论