结和背面处的少数载流子的复合速度用于在磁场和温度影响下，在静态下对硅太阳能电池基底的最佳厚度进行建模和确定。 这项研究考虑了Umklapp过程和洛伦兹效应对基地中光生的少数携带者的影响。