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p-ZnO:N / n-GaN异质结发光二极管的绿色电致发光
ZnO/GaN异质结发光二极管的研究进展，王颜彬，方铉，ZnO材料作为六方纤锌矿结构的直接带隙半导体材料，以其3.37eV的禁带宽度，60meV的室温激子束缚能而被广泛用于短波长的发光以及探测�
基于AlGaN电子阻挡层的ZnO异质结激子发光二极管的研制，李长鸣，梁红伟，通过在n-ZnO与p-GaN之间引入AlGaN电子阻挡层，在电注入下利用该种结构实现了来自于ZnO的紫外发光。该异质结结构表
通过使用AlGaN和InAlN数值研究了GaN基发光二极管(LED)的光学特性电子阻挡层(EBL)。 通过发射光谱,载流子浓度分布的模拟, 能带,静电场,内部量子效率和输出功率,结果表明LED 与采用
分别对3种不种电子阻挡层的蓝光AlGaN LED进行数值模拟研究。3种阻挡层结构分别为传统Al-GaN电子阻挡层,AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层和Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN
以HfO2作为电子阻挡层的n-ZnO / p-Si异质结的发光改善
我们已经比较研究了非对称p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n + -GaN和p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n + -Si双异质结发光二极管的电致发光(EL)性能
ZnO纳米线/p-Si异质结二极管电学特性的研究，刘国强，张贺秋，本文利用水溶液法在p-Si片上制备了垂直生长的无掺杂ZnO纳米线阵列，用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌。通过I-V和C-V测试对
介绍了白光发光二极管作为照明光源的发展优势.详细阐述了利用双基色发光二极管制造白光发光二极管的发光原理,并讨论了制作过程,包括选择性腐蚀和Bonding技术的运用.最后对器件性能作出评价.
紫外发光二极管是指可发出波长约400nm的近紫外光的发光二极管（LED）。紫外光通常是用作识别钞票是否伪造，一些紫外发光二极管照明物在夜总会和派对上很受欢迎，它们被用来使荧光物质发出更亮的光。 紫外发
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