掺铥钨酸钡单晶生长和光谱研究

报道了高功率全光纤结构2.0 μm波段宽带超荧光光源。超荧光种子源采用双包层掺铥光纤作为增益介质,中心波长为790 nm的多模半导体激光器作为抽运源,获得了稳定的中心波长为1952 nm的宽带超荧光输

这项工作是理论化学对某些非甾体类抗炎药（NSAID）分类的贡献。 实际上，对非甾体抗炎药功效的研究表明，没有一种非甾体抗炎药被认为是最有效的抗炎药。 我们已经对双氯芬酸，溴芬酸和氨苯丙酸进行了理论研究

Bi2Te3-xSex体系单晶的生长和输运性质测量，闫亚军，李泽源，利用助熔剂的方法成功生长了Bi2Te3-xSex（x=0-3.0）单晶。其c方向晶格常数随Se含量的增加而线性减小。随着Se的掺杂电

用浮区区熔法生长了稀土金属六硼化物和过镀金属碳化物大单晶。以VC单晶为例,给出了生长均匀组分和高纯晶体的方法。

二硫化钨(WS2)具有显著的可饱和吸收特性, 广泛应用于光电子器件的制备。研究了基于WS2可饱和吸收体(WS2 SA)的全光纤被动调Q掺铒光纤激光器。采用脉冲激光沉积法, 将WS2均匀生长在拉锥光纤表

300mm在硅单晶的生长技术

采用非掺GaN<SPAN style="FONT-FAMILY: 宋体; FONT-SIZE:

摘要: 采用氨热法在碱性条件下生长了 GaN 体单晶,SEM 照片显示晶体表面有大量裂纹。用拉曼光谱测量 GaN 晶体的 E2 ( high) 声子拉曼峰,结果表明晶体内部应力波动较大。通过减小温度梯

作为集成电路制备的衬底材料,对硅单晶的均匀性以及微缺陷的尺寸、密度要求极高。传统直拉法生长硅单晶过程中,通过拉速变化控制晶体直径,因此拉速始终处于波动状态。恒定拉速对晶体均匀性及缺陷密度、尺寸的影响研

非晶硅与单晶硅光谱响应图片,下载以备急需。