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针对低对比度下手机膜缺陷图像分割较难的问题,提出了一种改进的Retinex增强方法。首先,利用高斯卷积估计缺陷图像的光照分量,获取反射分量;对反射分量进行自适应非线性变换以及对比度受限自适应直方图均衡
企业人力资源开发与领导力提升——企业选用育留人才与领导力开发以挖掘自身潜藏的能力为核心,致力于为你...该文档为企业人力资源开发与领导力提升——企业选用育留人才与领导力开发,是一份很不错的参考资料,具
在这项工作中，我们证明了通用量规矢量场可以定位在最近提出的5D厚的速动braneworld上，这涉及在3轴上诱发的de Sitter宇宙学背景。 即，通过对向量场进行适当的分解，所得的4D有效作用对应
基于评价函数的宽光谱膜厚监控系统,由于实测光谱曲线和理论光谱曲线相背离,使得评价函数发散,监控失败。利用实测的膜层透射率光谱曲线,对于已镀层,利用模拟退火算法实时拟合其实际的光学常数,据此修正目标透射
本文提出了一种新的监控软X光多层膜膜厚的方法——转速控厚法,利用这种方法镀制的设计周期厚度分别为8.4和10nm,周期数达50对和30对的W/C多层膜,经小角X光衍射测试,结果表明周期厚度随机误差在0
光刻胶与光刻工艺技术 微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小 区域内,然后把这些区域连起来以形成器件和VLSI电路.确定这些区域图形 的工艺是由光刻来完成的,也就是说,
G9656的工作原理和STR-F6656一致。由于采用了新的制造工艺，使其体积更加减小，易于实现电源的小型化，标准化。
厚膜电路原理图集共有十九种线路图，有启动电路，稳压电路，激励放大，过压保护，温度检测，阀门，振荡器，比较器，基准，芯片应用电路。
图(a)是由STK084G厚膜功放构成的50W输出功率放大电路。STK084G是20kHz、50W时失真率达0.01%的厚膜集成芯片,其内部等效电路如图(b)所示。输入级是由VT4和VT5构成的电流镜
(电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054)摘 要:主要针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度,分析了影响光刻对准的各个主要因素,主要包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些
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