光刻胶与光刻工艺技术

　　光刻胶与光刻工艺技术

　　微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小

　　区域内,然后把这些区域连起来以形成器件和VLSI电路.确定这些区域图形

　　的工艺是由光刻来完成的,也就是说,首先在硅片上旋转涂覆光刻胶,再将

　　其曝露于某种光源下,如紫外光,电子束或X-射线,对抗蚀层进行选择性的

　　曝光.完成这项工作需利用光刻机,掩模版,甚至电子束光刻时的数据带.

　　曝光后的硅片经过显影工艺就形成了抗蚀剂图形.显影后仍保留在硅片上的

　　抗蚀剂保护着其所覆盖的区域,已去除抗蚀剂的部分必须进行一系列增加(如

　　淀积金属膜)或去除(如腐蚀)工艺,以将抗蚀图形转印到衬底表面.