低温生长的Ge/Si超晶格界面结构的同步辐射研究

测量了几种不同组分的(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的椭偏光谱(2.0~5.0 eV),并得到了其介电函数谱;应用介电函数的临界点理论,研究了(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的光学性质。发现短

生长中断法生长 InAs / GaSbII 型超晶格材料 表面形貌的研究

Si基晶格Si0.15Ge0.621Sn0.229 / Si0.637Ge0.018Sn0.345 MQW激光的光学增益

我们在论文中报道了InAs / GaSb超晶格结构的分子束外延生长过程中InSb界面性能的优化和控制。 首先制备了具有相同结构但生长方法不同,常规分子束外延(MBE)和迁移增强外延(MEE)的用于界面

Si1-xGex / Si外延膜和超晶格的光谱椭偏和X射线衍射研究

低温生长砷化镓的超快光抽运-太赫兹探测光谱研究

用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe/Cd0.65Zn0.35Se超晶格结构.利用X射线衍射(XRD)、77 K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe/CdZnSe超晶格

研究了低温生长砷化镓光电导天线(LT-GaAs PCA)产生太赫兹(THz)波的辐射特性。利用太赫兹时域光谱(TDS)技术测量了光电导发射极在飞秒激光作用下辐射的太赫兹脉冲,得到了时域发射光谱,并通过

根据全电位线性化增强平面波方法,我们计算了In掺杂超晶格ZnO的光学性质。 结果表明,掺入In后,费米能级进入导带。 发现电介质功能,吸收,折射率,反射率在费米能级附近均具有一个新的跃迁峰。 随着浓度

在比较国际上基于低温辐射计的红外辐射定标技术的基础上,提出了以红外光源结合单色仪为辐射源,及以腔式热电堆探测器和低温辐射计为标准探测器的红外辐射定标方案。介绍了其结构和工作原理并给出了初步的定标结果。