生长中断法生长 InAs / GaSbII 型超晶格材料 表面形貌的研究

美国雷特·帕特森空军基地航空系统部与利顿工业公司的艾尔特朗部(Airtron)签署了一项为斯三年的合同,以生长一种可使固体激光器的频率扩展至不同谐波上的独特的非线性光学单晶。

用高频加热引上法,对光调制器、光偏转器用的PbMoO4单晶的生长作了尝试,得到了优质的晶体。晶体的折射率分布尤为良好。本文是一篇关于PbMoO4单晶生长的报告。文中论述了PbMoO4的一般性质,用于光

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度

S-层蛋白晶体生长研究，乐悦，史勤超，古细菌细胞壁表面的S-层蛋白具有独特的自组装特性，能够在界面上重新自组装形成纳米级二维网格结构，近年来已经成为纳米领域的研�

氮化镓( GaN) 作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料。受

银在铜表面原位生长及其电催化性能，林建辉，马茹茹，通过采用表面平整的铜从溶液中置换银离子的方法,在铜表面原位生成银微晶。调节置换反应溶液的浓度、组成、反应时间等条件，分别�

基于白光干涉法,以泥岩作为研究对象,对泥岩抛光表面形貌进行了测定,并采用统计学方法和分形几何方法对泥岩抛光表面形貌二维图像的粗糙度和分形维数进行了分析。结果表明:统计学方法得到的粗糙度参数反映的是泥岩

香蕉种植者总是需要补种。 选择生长抑制剂对香蕉苗公司很重要。 茎尖含有许多赤霉素。 本研究对香蕉幼苗的茎尖进行了七种处理。 结果表明，喷施多效唑（200 mg / L），dniconazole（200

促进植物生长的根际细菌（PGPR）通过在根际中产生和分泌各种化学调节剂来定植植物根部并促进植物生长。 随着近来对可持续农业的兴趣，越来越多的研究人员正在研究提高PGPR使用效率以减少作物生产所需的化肥

原子层沉积生长Al2O3薄膜表面钝化机理的研究，孙平杨，张炳烨，本文采用原子层沉积(ALD)方法在不同导电类型的制绒单晶硅(c-Si)表面生长一层23nm厚的Al2O3薄膜。Al2O3薄膜结构利用场发