原子层沉积生长Al2O3薄膜表面钝化机理的研究,孙平杨,张炳烨,本文采用原子层沉积(ALD)方法在不同导电类型的制绒单晶硅(c-Si)表面生长一层23nm厚的Al2O3薄膜。Al2O3薄膜结构利用场发射扫描显微镜(FESEM)