生长在SiGe(110)/ Si(110)上的晶格应变Si薄膜吸引人,因为它们具有实现高速晶体管的潜力。 在这项研究中,我们使用扫描电子显微镜观察了Si / SiGe / Si(110)的表面形态,还使用截面透射电子显微镜观察了相同位置的微观结构。 这些结果表明,应力诱导孪晶的交叉会引起明显的表面粗糙度。 我们建议使用邻域底物来避免这种现象,本文显示了我们连续的实验结果。