高速栅极驱动器

在此系列的部分中,讨论过高电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速栅极驱动器也可以实现相同的效果。 高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管,大多数类型

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出两种新型高性能半桥栅极驱动器IC,为消费电子和工业应用提供卓越的系统可靠性和效率。FAN7380和FAN7382采用创新的共模d

IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极和

元凶就是MOSFET栅极驱动。我希望FET启动后不会卡嗒作响、震荡跳动不止,弄得鸡飞狗跳。

本文讲述了运用于功率型MOSFET和IGBT设计高性能自举式栅极驱动电路的方法

7月28日讯,Agilent公司推出业界首个军用标准的密封的栅极驱动光耦合器HCPL5120,HCPL5121,HCPL5150和HCPL5151,用在苛刻的防卫和航空设备中马达控制逆变器和不尖断电源

当今多种模式风头技术和鬼片支撑并存，而且技术进步越来越快，要根据MOSFET的电压/电流或管芯吃困，对如何将MOSFET驱动器与MOSFET进行匹配进行了一般说明。本笔记详细讨论与MOSFET栅极电荷

IR日前发布了一系列带有完备保护功能的高压IGBT控制集成电路。与基于光耦或变压器的分立元件的传统方案相比,新方案除了功能先进之外,噪声免疫力更高,并将使用元器件数减少30%,占用的电路板面积缩减一半

使用功率MOSFET的汽车应用要求栅极驱动器具备高峰值驱动电流和低输出阻抗。来自飞兆半导体的 FAN31xx_F085 和FAN32xx_F085* 系列高速、低端汽车合格栅极驱动器为电源和其他高效M

详细介绍IGBT 驱动器中栅极电阻 Rg 的选取方法和栅极电阻功率确定，以及相关注意事项。