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氧化铋掺杂铌酸锂晶体的光折变特性
研究了温度对掺杂铌酸锂晶体位相共轭的影响.实验表明,温度是提高位相共轭波前反射率的一种有效途径.并用全息光栅理论对此作了解释.
界面错配对Al掺杂ZnO薄膜形貌和电学性能的影响，许爱燕，羌建兵，本工作采用射频磁控溅射方法在（100）、（110）和（111）Si基底上制备Al掺杂ZnO（AZO）薄膜，研究Si基底取向对AZO薄膜
RRC重建对VoLTE性能影响分析
二氧化钒(VO2)是一种热至变色材料,在临界温度340 K有金属-半导体相变。第一性原理计算结果发现:C、N、F元素以1.56%、3.13%、4.69%的原子浓 度掺杂M1相VO2的带隙Eg1降低到0
Al掺杂对甲醇醇解法合成ZnO纳米粉体的影响
退火对Cr掺杂Heusler合金Ni-Mn-In马氏体相变行为的影响，于淑云，韦佳佳，本文采用X射线衍射、交流磁化率以及磁化强度的测试研究了不同温度退火对Ni50Mn31.5Cr2In16.5铁磁形状
在In As/Ga As量子点的自组装生长阶段,采用δ掺杂技术对量子点进行不同浓度的Si掺杂,可以使得量子点的室温光致发光峰强度大幅提高,其原因是掺杂的Si原子释放电子钝化了周围的非辐射复合中心。这种
利用溶胶-凝胶法制备 YCr0.6Fe0.4O3 样品,研究了 Fe3+ 掺杂对 YCrO3 的微结构与磁特性的影响。结 果表明,样品具有良好的单相正交结构,属于Pnma 空间群。拉曼及傅里叶红外光谱
采用沉淀法与浸渍法相结合,以氧化镍为活性组分,氧化铝和氧化锆为载体,氧化镧为助剂分别制备了含镧(La)的高温甲烷化催化剂。采用X射线荧光光谱(XRF)、X射线粉末衍射(XRD)、N2吸附和程序升温还(
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