随着微电子技术发展到了65nm及其以下技术节点，金属铜由于其优良的特性取代了传统工艺中所用到的铝，本课题就是基于此基础上对多层铜布线的晶片进行CMP抛光的研究。 　　　新的集成电路制造材料引入了多孔结构的低K介质，使得晶片的耐压力变小，须采用低压力完成平坦化。又因为现在国际主流的酸性抛光液逐渐暴露出诸多弊病，而新兴起的碱性抛光液又不仅能克服这些缺点，还有价格低廉等能够成为通用抛光液的潜质优点，所以当下抓紧研究低压力下碱性抛光液显得势在必行。 　　　本文对CMP过程中各项抛光工艺和抛光液配比进行了实验研究。通过对比实验，研究得出在静态条件下3inch铜的平均腐蚀速率是相当低的，仅为56Å/