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　　　随着微电子技术发展到了65nm及其以下技术节点，金属铜由于其优良的特性取代了传统工艺中所用到的铝，本课题就是基于此基础上对多层铜布线的晶片进行CMP抛光的研究。 　　　新的集成电路制造材料引入了多孔结构的低K介质，使得晶片的耐压力变小，须采用低压力完成平坦化。又因为现在国际主流的酸性抛光液逐渐