提出了一种用于超冷中子的新型磁阱的首次实验演示。 高场寻找自旋态被捕获在由直导线的磁场和导线表面上的排斥涂层形成的电势中。 可以观察到被俘获的中子的寿命为60 s。 该配置原则上可以用于在导线表面上形成波函数的束缚状态，以探测短距离的新力。 其他应用包括用作完美极化中子的向导和选择器。