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在InGaN/GaN多量子阱(MQW)中存在较大的压电极化场,由此引起的量子限制斯塔克效应(QCSE)会造成电子空穴的辐射复合率下降。设计生长了具备InGaN应变层的MQW结构以减弱极化场,并进行了变
提出了一种用一对金属平板电容器和4根半埋入绝缘介质的杆电极组成的用于囚禁处于弱场搜寻态的冷极性分子的静电表面阱方案。用有限元软件计算了单阱囚禁时的空间电场分布, 发现芯片表面上方2.2 mm左右形成了
穿通效应(Reach-Through Effect)。当两个与衬底的掺杂类型不同的阱相邻时,穿通效应的影响就会很重要。当两个阱中电路为模拟电路时,阱的电位可能互不相同。当两个阱的电位之差足够大时,阱的
研究了和平面刻槽离子阱中的电压热涨落噪声引起的离子加热和离子加热的直接计算模型,给出了离子加热的加热尺度,并利用有限元分析方法计算了当刻槽宽度和射频电极宽度比例α发生变化时加热尺度的变化。同时,还利用
实现多通道光滤波与放大功能的光子晶体量子阱
研究了存在原子间有效三体相互作用的情况下双阱势场中超冷玻色气体的相位相干性,其中引入无序分布的阱深差来模拟无序势。研究发现,在无序Bose-Hubbard模型中,重整化的三体相互作用能有效增强玻色气体
本文介绍了用分子束外延法制作的梯度折射率分别限制式单量子阱GaAs/AlGaAs半导体激光器。该器件具有较低的阈值电流密度和单模运转特性,连续输出功率可达55 mW。
电荷检测四极离子阱(QIT)质谱是一种快速测量微米粒子如生物细胞和气溶胶质量的有效技术, 这种技术通常是在低真空条件下扫描交流场的频率来实现的。介绍了一种计算单个粒子在阱中抛出时喷射点(qeject)
日本三菱电机公司中央研究所,最近试制成一种通过改变注入电流的大小,可用两种波长交替或同时振荡的量子阱GaAs半导体激光器。激光器的有源层只有0.01微米厚,它的上下方是AlAs-GaAs超晶格结构。条
为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响, 采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AlGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95
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