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用动力学蒙特卡罗方法研究了3C-SiC(111)邻晶面的外延生长机制。生长温度、沉积速率和平台宽度对邻晶面外延生长模式有着重要的影响。模拟结果显示:在温度较低的情况下,晶体表面离散的分布着数量众多的晶
为研究基于碳化硅(SiC)陶瓷封装的高功率半导体激光器的散热性能, 将其与常用的氮化铝(AlN)陶瓷进行对比, 使用基于结构函数法的热阻仪分别测量SiC和AlN封装F-mount器件的热阻值, 得到S
翻译指令 使用不同的提供程序API转换内容的指令 安装 通过作曲家 composer require pop-schema/translate-directive 发展 源代码托管在 。 用法 初始化
原料粒径对多孔陶瓷力学性能及孔径分布的影响规律，李宇，盛红健，利用精炼渣、莱阳土、叶腊石、石英为原料，采用传统陶瓷工艺制备了性能良好的多孔陶瓷，并研究了制备生坯时的压力、原料粒径对多
基于多孔硅微腔微阵列的制备及检测，陈位荣，贾振红，我们结合光刻和电化学腐蚀方法，成功在单晶硅衬底上制备出一个8*8的一维多孔硅光子晶体微腔的微阵列器件，微阵列的每个阵列单元直
当前,新型快速开关的碳化硅(SiC)功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应,SiC器件的一系列特性,如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能,使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充
1 SiC二极管实现产业化 SiC电力电子器件中,SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品,美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了Si
导读:英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。 “第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计,将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。
高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析pdf,相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关
碳化硅MOS管SiCMOS PFC功率器件主开关管的选择..如传统的PFC拓扑普通无桥PFC双升压无桥PFC图腾柱无桥PFC等并已成功大范围应用在设计过程中.碳化硅MOSFET相对于IGBT或超结
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