单斜晶相HfO2电子结构与光学性质的第一性原理计算

使用基于从头计算平面波赝势法的CASTEP量化软件计算了铌酸锂(LiNbO3)晶体的电子能带结构和线性光学系数,采用耦合微扰方法(CPHF)计算了铌酸锂晶体的非线性光学系数。折射率和倍频系数的计算结果

我们在广义梯度近似(GGA)中采用自旋极化密度泛函理论(DFT)计算来研究C掺杂SnO2(SnO2:C)块状和薄膜的电子结构和磁性。 我们的结果表明,单个取代的C(CO)不会感应磁性,而COCO对可以

不同终端的渗碳体(001)表面稳定性,结构和电子特性的第一性原理研究,高扬,吕知清,从利用密度泛函理论优化后的渗碳体体单胞的四个不同位置切取了八种终端的(001)表面,并对它们进行了计算,结果表明,若

SnO2纳米晶的制备、结构与发光性质，林涛，万能，我们使用软化学方法在碱性溶液中制备出了颗粒尺寸分布均匀的SnO2纳米颗粒，使用透射电子显微镜（TEM），X-射线衍射（XRD），光致发光

GaAs可饱和吸收体中的深能级缺陷(EL2缺陷)对其被动调Q性能有着重要的影响,因此有必要对EL2缺陷的微观结构及形成机理做进一步研究。用基于密度泛函理论的平面波赝势法首先对GaAs本征点缺陷(镓空位

利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法, 研究了铁(Fe)、硫(S)单掺杂及Fe-S共掺杂氧化锌(ZnO)体系的能带结构, 并对态密度和光学性质进行了对比分析。结果表明: 掺杂后晶格发生畸变; S原子

光催化半导体 Ag2ZnSnS4 的第一性原理研究

不同侧基苯衍生物电子特性的第一性原理研究

HfO2薄膜折射率非均质性生长特性研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理和分子动力学理论, 验证了二维GaAs类石墨烯结构的稳定性, 计算了二维GaAs的基态电子结构、态密度和光学性质参数。结果表明, 不同于三维GaAs, 二维GaAs最高